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J-GLOBAL ID：200903074452921234

有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法

Inventor：
行徳 明

About 行徳 明

, 
小松 隆宏

About 小松 隆宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997280123
Publication number (International publication number)：1999121168
Application date： Oct. 14, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 有機EL素子の製造においてオーバーハング部の形成までの製造過程をより簡単にするとともにディスプレイの画像生成の最適化を図ることを目的とする。【解決手段】 光透過性のガラス基板1の上に、透明電極2を陽極として形成するとともにこの透明電極2の一部を露出させる絶縁性の隔壁(クロム酸化物層3)を透明電極2よりも上に突き出る層厚として形成し、透明電極2が露出した部分及び隔壁の上に、有機薄膜5を形成するとともにこの有機薄膜5の上に陰極6を形成するエレクトロルミネセンス素子において、絶縁性の隔壁の上端に、この隔壁を有機薄膜5の形成領域に合わせてエッチングするためのレジスト膜4によるオーバーハング部を形成する。
Claim (excerpt)：
光透過性の基板の上に、光透過性の第1の電極を形成するとともにこの第1の電極の一部を露出させる絶縁性の隔壁を第1の電極よりも上に突き出る層厚として形成し、第1の電極及び隔壁の上に、有機薄膜を形成するとともにこの有機薄膜の上に第2の電極を形成する有機エレクトロルミネセンス素子であって、絶縁性の隔壁の上端に、この隔壁を有機薄膜の形成領域に合わせてエッチングするためのレジスト膜によるオーバーハング部を形成してなることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
IPC (2)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/22
FI (2)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/22 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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