半球状シリコン結晶粒構造の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998010511
Publication number (International publication number)：1999121718
Application date： Jan. 22, 1998
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】集積回路におけるコンデンサーの下部電極として半球状シリコン結晶粒構造を製造する方法を提供する。【解決手段】多結晶シリコンがアモルファスシリコンの代わりの核生成サイトとして作用する。半球状シリコン結晶粒構造は化学気相合成法により選択的に形成される。

Claim (excerpt)：

酸化シリコン層および前記酸化シリコン層を貫通するコンタクトホールを有し,前記コンタクトホールが多結晶シリコンで満たされている基材を準備し,前記コンタクトホール及び前記酸化シリコン層の一部をカバーするように多結晶シリコン層を形成,パターン化し,前駆体としてクロロシラン材料を使用して副産物を生成する化学気相合成法により前記基材上に半球状シリコン結晶粒構造を選択的に形成することを特徴とする半球状シリコン結晶粒構造の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (4)：

H01L 27/10 621 B , C23C 16/24 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-115558 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-239936
特開昭64-050416

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