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J-GLOBAL ID:200903074489705264

配線回路の形成方法および多層配線回路基板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995024079
Publication number (International publication number):1996222834
Application date: Feb. 13, 1995
Publication date: Aug. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】配線回路パターンとその周囲との段差が生じず、導体層と絶縁層の水平精度が維持された多層配線回路基板の製造に適した配線回路パターンの形成方法を提供する。【構成】基板表面に絶縁性樹脂層を形成し、配線部となるパターン状に前記樹脂を選択的に除去し凹部を形成した後、前記凹部に無電解めっきを行い、めっき部分の上面と周囲の絶縁性樹脂層の上面とが略同一平面となるように、導体部を形成する。
Claim (excerpt):
下記の一連の工程からなる配線回路の形成方法。(a)表面が絶縁性の基板表面に、粗面化処理を施す工程。(b)粗面化処理を施した基板表面に、無電解めっきの前処理である触媒付与を行う工程。(c)触媒付与を行った基板表面に、絶縁性樹脂層を形成する工程。(d)前記樹脂層より、配線部となるパターン状に樹脂を除去し、触媒付与が行われた基板表面が露出するように凹部を形成する工程。(e)前記基板を無電解めっき液に浸漬することにより、前記凹部にめっき層を形成し、周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となるように、配線回路パターンを形成する工程。
IPC (4):
H05K 3/10 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/22 ,  H05K 3/46
FI (4):
H05K 3/10 E ,  H05K 3/18 E ,  H05K 3/22 B ,  H05K 3/46 E
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 特開平1-173778
  • めっき膜の析出不良及び接着力低下防止法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-164400   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平4-284689
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