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J-GLOBAL ID：200903074502505407

導波路型半導体受光装置およびその製造方法

Inventor： 竹内 剛
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995334298
Publication number (International publication number)：1997153638
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 入射端の幅を広げても導波路での損失が生じないようにする。導波路と受光素子との結合効率を向上させる。【構成】 半導体基板101上に、光入射側からPD部に向かって幅が連続的に減少するテーパ導波路102と、このテーパ導波路と光学的に結合された受光素子103とが集積化される。テーパ導波路102は、第1クラッド層104、コア層105、第2クラッド層105により構成されるが、テーパ導波路102の幅は受光素子103に向かって徐々に狭くなると共にその膜厚が連続的に厚くなり、かつ、コア層105の屈折率が受光素子側に向かって連続的に高くなっている。コア層105をPD部にまで引き延ばし、PD部でのバンドギャップ波長を信号光の波長以上となるようにして、コア層の延長部を受光素子103の光吸収層とすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、受動導波路とこれにより導波された信号光を受光する受光素子とが集積化されている導波路型半導体受光装置において、受動導波路の導波層は、光入射側から受光素子側に向かって幅が漸減し厚さが漸増するとともに屈折率が漸増していることを特徴とする導波路型半導体受光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光半導体装置及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-216006   Applicant：富士通株式会社
• 導波路型受光素子並びにその製造方法及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-358411   Applicant：古河電気工業株式会社