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J-GLOBAL ID：200903074528791335

強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： 沢崎 立雄
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002095057
Publication number (International publication number)：2003298020
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 強誘電体の結晶化における熱負荷を低減することができる強誘電体薄膜の形成方法、強誘電体メモリならびに強誘電体メモリの製造方法、および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る強誘電体薄膜の形成方法は、基板10上に形成された非晶質の酸化物薄膜30にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核40を形成する工程と、前記微結晶核40を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体50を形成する工程と、を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された非晶質の酸化物薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して当該酸化物の微結晶核を形成する工程と、前記微結晶核を有する薄膜にパルス状のレーザー光またはランプ光を照射して前記酸化物を結晶化させて強誘電体を形成する工程と、を含む、強誘電体薄膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316

FI (3)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C

F-Term (19)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BH07 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066356   Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-245714   Applicant：株式会社東芝