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J-GLOBAL ID：200903074542211694

液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： 中村 剛 ,  吉井 靖博 ,  清水 宏明
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006279146
Publication number (International publication number)：2008096743
Application date： Oct. 12, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：

【課題】浸漬露光時の物質溶出を抑制でき、リソグラフィー特性にも優れた液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)および酸増殖剤成分(G)を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物、並びに、当該液浸露光用ポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を浸漬露光する工程および前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)および酸増殖剤成分(G)を含有することを特徴とする液浸露光用ポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/039

FI (3)：

G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  G03F7/039 601

F-Term (13)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-320105   Applicant：富士通株式会社