磁性メモリ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998026186
Publication number (International publication number)：1999232710
Application date： Feb. 06, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】記録を行うメモリセル以外のメモリセルの情報を消去することなく指定されたメモリセルに確実に記録を行うことのできる磁気メモリを提供する。【解決手段】比較的低い保磁力を有する磁性層14と、非磁性層13と、比較的高い保磁力を有する磁性層12が順に積層された多層膜によりメモリセル10a〜10cを構成し、指定されたメモリセル10cをレーザ光19により加熱した後、メモリセル10cを冷却する時に磁界印加機構20により磁界を印加することにより、比較的高い保磁力を有する磁性層12に情報を記録する。

Claim (excerpt)：

比較的低い保磁力を有する第1の磁性層と比較的高い保磁力を有する第2の磁性層で非磁性層を挟んだ多層膜と、前記多層膜に複数の方向の磁界を選択的に印加する磁界印加手段と、前記多層膜を加熱する加熱手段とを備え、前記磁界印加手段により前記多層膜に所定の方向の磁界を印加しながら前記加熱手段によって前記多層膜を加熱し、前記比較的高い保磁力を有する第2の磁性層の磁化の向きを前記磁界印加手段により印加された磁界の方向に固定することによって記録値を与えることを特徴とする磁性メモリ。

IPC (7)：

G11B 11/08 , G11B 5/127 , G11B 5/39 , G11B 11/10 506 , G11B 11/10 561 , G11B 11/10 586 , G11C 11/15

FI (8)：

G11B 11/08 , G11B 5/127 G , G11B 5/127 M , G11B 5/39 , G11B 11/10 506 A , G11B 11/10 561 F , G11B 11/10 586 A , G11C 11/15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

メモリー素子及び増幅素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-277574 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-344383
特開平4-023293

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