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J-GLOBAL ID：200903074583793150

半導体装置

Inventor：
堀 哲二

About 堀 哲二

, 
津田 達也

About 津田 達也


Applicant, Patent owner：
東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社

About 東芝デジタルメディアエンジニアリング株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000103304
Publication number (International publication number)：2001291823
Application date： Apr. 05, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】製造工程を短縮化するとともに、装置の小型化を図ることのできる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の第1、2、3リードを有する外部リードフレーム10a,10b,10cと、第1リードに一方の面の電極がそれぞれ直接接続されたパワー半導体素子12及び制御半導体素子13と、パワー半導体素子12の他面に形成された電極と第3リード10cの内の1つのリードとを直接接続する第1の内部リードフレーム11aと、制御半導体素子13の他面に形成された電極と第3リード10bの内の他の1つのリードとを直接接続する第2の内部リードフレーム11bとを有する。
Claim (excerpt)：
複数の第1、2及び第3リードを有する外部リードフレームと、前記複数の第1リードに、一方の面に形成された複数の電極がそれぞれ直接接続されたパワー半導体素子と、前記複数の第2リードに、一方の面に形成された複数の電極がそれぞれ直接接続された前記パワー半導体素子を制御する制御半導体素子と、前記パワー半導体素子の他面に形成された電極と前記複数の第3リードの内の1つのリードとを直接接続する第1の内部リードフレームと、前記制御半導体素子の他面に形成された電極と前記複数の第3リードの内の他の1つのリードとを直接接続する第2の内部リードフレームと、前記パワー半導体素子、前記制御半導体素子、前記内部リードフレーム及び前記外部リードフレームの前記リードをモールドする封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28
FI (2)：
H01L 23/28 B ,  H01L 25/04 C
F-Term (10)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA26 ,  4M109DB15 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EB12 ,  4M109EB13 ,  4M109EC06 ,  4M109GA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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