Pat

J-GLOBAL ID：200903074632291166

半導体ウエハ及び半導体検査方法

Inventor： 木村 和則
Applicant, Patent owner： 株式会社東京精密 ,  株式会社東精エンジニアリング
Agent (5)： 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  島田 哲郎 ,  小林 龍 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005311521
Publication number (International publication number)：2007123430
Application date： Oct. 26, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】半導体ウエハに形成されたチップの電気的特性の検査において、検査装置を複雑化させることなく、簡易な構成でウエハ裏面に対するケルビン接続を実現することが可能な半導体ウエハ及び半導体検査方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ2の表面に、ウエハ裏面に電気的に接続されて裏面の電位測定に供される裏面電位測定用電極5を設け、この裏面電位測定用電極5と裏面とを半導体ウエハ2を貫通して導通する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

表面に半導体回路が形成される半導体ウエハであって、 その裏面に電気的に接続されて裏面の電位測定に供される裏面電位測定用電極を、その表面に備え、 前記裏面電位測定用電極と前記裏面とが、前記半導体ウエハを貫通して導通されることを特徴とする半導体ウエハ。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (3)：

H01L21/66 E ,  H01L21/66 V ,  H01L21/88 J

F-Term (12)：

4M106AA01 ,  4M106AB01 ,  4M106AD02 ,  4M106AD23 ,  4M106BA01 ,  4M106CA01 ,  4M106DH16 ,  4M106DH51 ,  5F033MM30 ,  5F033TT07 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 検査用基板のプローブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225294   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
• 半導体試験装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-104757   Applicant：株式会社シバソク
• ダクト用換気扇
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-128258   Applicant：東芝キヤリア株式会社