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J-GLOBAL ID：200903074702102170
半導体測定装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
高田 守
, 高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005177445
Publication number (International publication number)：2006349550
Application date： Jun. 17, 2005
Publication date： Dec. 28, 2006
Summary：
【課題】 水銀プローブを用いた測定装置の測定精度を向上させる。【解決手段】 ステージ1の表面に、外側から順に真空引き用溝2、真空測定用溝3、電極用溝4、5を設ける。真空引き用溝2に真空ポンプを接続し、真空測定用溝3に真空計23を接続し、電極用溝4、5に、それぞれ水銀を供給できる配管4a、5aを接続した構造とする。 このような構成とすることにより、真空ポンプにより真空引きを行う際に、真空計23により測定される真空度と、電極用溝4、5の内部の実効的な真空度とを一致させることができる。これにより、実効的な真空度を正確に制御して、ウェハ31に形成される電極の面積を一定とすることができる。従って、測定精度を向上させることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ウェハを載せるためのステージと、
前記ステージの表面で、前記ウェハを載せる領域よりも内側の領域を囲うように設けられた第1の溝と、
前記第1の溝から前記ステージの内部を経由して真空ポンプに接続された管路と、
前記ステージの表面で、前記第1の溝よりも内側の領域を囲うように設けられた第2の溝と、
前記ステージの表面で、前記第2の溝よりも内側の領域を囲うように設けられた第3の溝と、
前記第2の溝および前記第3の溝のうち、一方の溝から前記ステージの内部を経由して接続された真空計と、
前記第2の溝および前記第3の溝のうち、他方の溝から前記ステージの内部を経由して接続され、前記他方の溝に水銀を供給して前記ウェハに電極を形成するための管路と、
を含むことを特徴とする半導体測定装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G01R31/26 J
, H01L21/66 B
2G003AA10
, 2G003AB07
, 2G003AG04
, 2G003AG12
, 2G003AG13
, 2G003AH05
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106CA12
, 4M106DD01
, 4M106DH47
Cited by applicant (1)
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シリコンウエーハの評価方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-293048
Applicant：信越半導体株式会社
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