スピンバルブ型薄膜素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998220608
Publication number (International publication number)：2000057527
Application date： Aug. 04, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】フリー磁性層の中央付近は、トラック幅方向に磁化されているバイアス層から距離的に離れているため、バイアス層の影響が小さく、従って磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量が大きいと、磁化がハイト方向に傾き、バルクハウゼンノイズが増大するといった問題が起こる。特に前記中央付近には引っ張り応力が働いているため、磁歪が正で、しかもその値が大きいと、磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量が大きくなってしまう。【解決手段】フリー磁性層5をNiFe合金膜で形成した場合、前記フリー磁性層の膜厚を30〜100オングストロームで形成し、NiFe合金膜のNi組成比を適性に選択すれば、磁歪を-2×10-6〜1×10-6の範囲内に収めることができる。従って、磁気弾性効果によるハイト方向への磁気異方性分散量を小さくでき、バルクハウゼンノイズを低減できる。

Claim (excerpt)：

反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有し、さらに前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃えるバイアス層と、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える導電層とが設けられて成るスピンバルブ型薄膜素子において、前記フリー磁性層はNiFe合金膜により形成され、前記フリー磁性層の膜厚は、30〜100(オングストローム)の範囲内であることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。

F-Term (3)：

5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-172555 Applicant：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果型磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-001140 Applicant：株式会社日立製作所
二重スピン・バルブ磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-275141 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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