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J-GLOBAL ID:200903074848785902
ガス放電表示装置及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995518392
Publication number (International publication number):1996507645
Application date: Dec. 16, 1994
Publication date: Aug. 13, 1996
Summary:
【要約】ガス放電表示装置及びこの表示装置を集積回路製造技術を用いて製造する方法。この表示装置は、熱及び圧力に強い平坦な基板(200,212)から製造され、これら基板にキャビティを集積回路製造技術によりエッチング形成し、独立した画素を形成する。直交電極(202,214)を基板上に配置し、これら基板をキャビティまで延在させる。キャビティはガス放電材料が充填され、プラズマのように、個々のキャビティの電極を付勢すると画素の形成が個別に行なわれる。
Claim (excerpt):
透明材料から成る第1及び第2の基板と、これら基板間に形成された複数のキャビティと、これらキャビティ内に配置した複数の第1及び第2の電極と、前記キャビティ内に充填された発光ガス放電材料とを有し、前記第1及び第2の基板を全ての接点でウェハ接着したガス放電表示装置
IPC (3):
H01J 17/18
, H01J 9/02
, H01J 17/49
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-355261
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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特公昭53-013948
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