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J-GLOBAL ID：200903074874838160

半導体装置の製造方法

Inventor： 三好 敬
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 岩見谷 周志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006078367
Publication number (International publication number)：2007258317
Application date： Mar. 22, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】 耐熱性及び低弾性率であるシリコーン系ダイボンド材を使用しつつ、低分子シロキサン成分の悪影響を抑制し、信頼性の高いワイヤーボンディングを安定して行なうことが可能である半導体装置の製造方法を提供する【解決手段】 加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を基板に塗布し、半導体素子を前記基板上の被塗布面に配置し、前記加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を加熱して硬化させ、前記半導体素子に付着した低分子量シロキサン成分を除去し、その後にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】 なし。

Claim (excerpt)：

加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を基板に塗布し、半導体素子を前記基板上の被塗布面に配置し、前記加熱硬化性シリコーン系ダイボンド材を加熱して硬化させ、前記半導体素子に付着した低分子量シロキサン成分を除去し、その後にワイヤーボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1)：

H01L 21/52

FI (1)：

H01L21/52 E

F-Term (3)：

5F047BA21 ,  5F047BA23 ,  5F047BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-235981   Applicant：信越化学工業株式会社
• シリコーン組成物およびそれから製造されるシリコーン接着剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111614   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション