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J-GLOBAL ID：200903094259968534

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
吉野 正親

About 吉野 正親

, 
柏木 努

About 柏木 努

, 
塩原 利夫

About 塩原 利夫


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002235981
Publication number (International publication number)：2004079683
Application date： Aug. 13, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】半導体チップの温度上昇に伴う内部歪の増大による接着界面の剥離を防止すること。【解決手段】基板に半導体素子をシリコーン樹脂系接着剤を用いて搭載し、その後、基板上の半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、基板に半導体素子を搭載後、接着剤層の露呈面及び基板の表面にプラズマ処理を行い、次いで樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法、及びこの製造方法により得られた半導体装置。【効果】リフローソルダリング時にパッケージクラックが入らず、繰り返しヒートサイクルや熱衝撃にさらしたり、通電断続を繰り返したり、長時間加熱加圧下においても、ボンディングワイヤー等の導電部材が断線や破損しにくく、封止用樹脂が破壊されにくく、耐湿性、耐腐蝕性、応力緩和性に更に優れる半導体装置が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板に半導体素子をシリコーン樹脂系接着剤を用いて搭載し、その後、基板上の半導体素子を樹脂封止する半導体装置の製造方法であって、基板に半導体素子を搭載後、接着剤層の露呈面及び基板の表面にプラズマ処理を行い、次いで樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/56 ,  H01L21/52
FI (2)：
H01L21/56 R ,  H01L21/52 Z
F-Term (7)：
5F047AA11 ,  5F047AA17 ,  5F047BA33 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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