半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002058741
Publication number (International publication number)：2002373496
Application date： Mar. 05, 2002
Publication date： Dec. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 NAND構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。【解決手段】複数のNANDセルストリングでなったメインメモリアレイ10とスペアメモリアレイ20とをもつメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法であって、メインメモリアレイ10の物理的アドレスがスペアメモリアレイ20の物理的アドレスよりも先にある場合にもスペアスタート全体ページシーケンシャルリードモードに進入する外部コマンドに応答してスペアメモリアレイ20の論理的アドレスをメインメモリアレイ10の論理的アドレスより先にくるように指定することにより、スペアメモリアレイ20に貯蔵されたデータが優先的にリードされるようにする。

Claim (excerpt)：

複数のNANDセルストリングでなったメインメモリアレイとスペアメモリアレイとをもつメモリセルアレイを備えた不揮発性半導体メモリ装置に用いるデータリード方法において、前記メインメモリアレイの物理的アドレスが前記スペアメモリアレイの物理的アドレスよりも先にある場合にもスペアスタート全体ページシーケンシャルリードモードに進入する外部コマンドに応答して前記スペアメモリアレイの論理的アドレスを前記メインメモリアレイの論理的アドレスより先にくるように指定することにより、前記スペアメモリアレイに貯蔵されたデータが優先的にリードされるようにすることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置のデータリード方法。

IPC (4)：

G11C 16/02 , G06F 12/16 310 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (5)：

G06F 12/16 310 P , G11C 17/00 613 , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 639 C

F-Term (8)：

5B018GA04 , 5B018HA14 , 5B018NA06 , 5B025AA01 , 5B025AD01 , 5B025AD05 , 5B025AD13 , 5B025AE05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ランダム・アクセス可能かつ書換え可能メモリを用いる外部記憶装置におけるプログラム直接実行の制御方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-256284 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-068961 Applicant：株式会社東芝
情報記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-233382 Applicant：株式会社リコー

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