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J-GLOBAL ID：200903074970214819

III族窒化物半導体とその製造方法

Inventor： 八百 隆文 ,  ▲チョ▼ 明煥 ,  鳥羽 隆一
Applicant, Patent owner： 株式会社 東北テクノアーチ ,  DOWAエレクトロニクス株式会社
Agent (4)： 萩原 康司 ,  金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  和田 憲治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007221774
Publication number (International publication number)：2009054888
Application date： Aug. 28, 2007
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 33/00

FI (6)：

H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/01 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C

F-Term (48)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4G077FJ03 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F045AA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045AF19 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA63 ,  5F045HA04