Pat

J-GLOBAL ID：200903075001015651

電界放出型電子源

Inventor： 山岸 敏郎 ,  難波 正和 ,  岡崎 三郎 ,  平野 喜之 ,  岡村 憲伯 ,  勝原 幸典 ,  井上 茂
Applicant, Patent owner： 日本放送協会 ,  日立電子株式会社
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999129122
Publication number (International publication number)：2000323011
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 簡便なプロセスによりサブミクロン以下のゲート電極開口径が得られ、高性能の電界放出型電子源をローコストで提供すること。【解決手段】 絶縁層を挟んで対向するカソード電極2とゲート電極6の間に電圧を印加してエミッタ5から電子を放出させる電界放出型電子源において、絶縁層として陽極酸化法により厚さ方向に向かって延びる微細孔4が多数形成された多孔質絶縁層3を用い、微細孔4内部にエミッタ5を形成させたもの。

Claim (excerpt)：

絶縁層を挟んで対抗するカソード電極とゲート電極の間に電圧を印加し、エミッタから電子を放出させる方式の電界放出型電子源において、前記絶縁層として、陽極酸化処理により厚さ方向に向かって延びる微細孔が多数形成された多孔質絶縁層を用い、前記微細孔内部に前記エミッタが形成されていることを特徴とする電界放出型電子源。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電子放出素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-007997   Applicant：株式会社リコー
• 電子放出素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-015629   Applicant：株式会社リコー
• 冷陰極電子源素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-099953   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 粒子放出装置、電界放出型装置及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-270273   Applicant：ソニー株式会社
• 電子放出素子及びその製造方法とそれを用いた電子源,撮像装置,画像形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-090627   Applicant：キヤノン株式会社