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J-GLOBAL ID：200903075036448518

集積マイクロメカニカルセンサデバイス及びその製造方法

Inventor：
ウエルナー、ウオルフガング

About ウエルナー、ウオルフガング


Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

About シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト


Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995509491
Publication number (International publication number)：1996510094
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：
【要約】集積マイクロメカニカルセンサデバイスは基板(1)とこの上に配置された絶縁膜(2)とこの上に配置された単結晶シリコン膜(3)とを備えた基体(10)を含んでおり、シリコン膜(3)は絶縁膜の表面までトレンチを有し、このトレンチの側壁とシリコン膜の絶縁膜側とは第1ドーピング(n+)を有しシリコン膜はその残されている表面の少なくとも一部領域に第2ドーピング(n-)を有し、シリコン膜は第1領域(TB)にトランジスタ装置を有しかつ第2領域(SB)にセンサ装置を有し、このために第2領域の下の絶縁膜(2)は一部分を除去される。この種のセンサデバイスは公知のデバイスに比較してその特性及びその製造方法に関して多くの長所を有している。
Claim (excerpt)：
a)基板(1)上に配置された絶縁膜(2)とその上に配置された単結晶シリコン膜(3)とを備えた基体を形成し、その際シリコン膜は予め定められたドーピング(n+、n-)を有するようにする工程、b)絶縁膜の表面までシリコン膜内にトレンチをエッチング形成する工程、c)トレンチ壁にドープする工程d)シリコン膜の第1領域(TB)にトランジスタ装置を形成する工程、e)シリコン膜の第2領域(SB)の下の絶縁膜(2)を除去する工程、を有することを特徴とする集積マイクロメカニカルセンサデバイスの製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12
FI (3)：
H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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