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J-GLOBAL ID：200903075083383874

窒化物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 太田 啓之 ,  園部 雅之 ,  伊藤 範和 ,  藤井 哲雄
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社 ,  ローム株式会社
Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001177383
Publication number (International publication number)：2002368269
Application date： Jun. 12, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 逆電圧印加時のリーク電流の電流電圧特性を改善する窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体からなる活性層6と、活性層に隣接し、活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する材料からなる障壁層7と、活性層において貫通転位を囲む位置に形成された孔部に障壁層と同一材料を装填することにより形成される埋め込み部51と、を有する窒化物半導体素子であって、埋め込み部の底部において隣接する2つの半導体層のうち少なくとも一方が、1E16/cc〜1E17/ccの不純物濃度を有する。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体からなる活性層と、前記活性層に隣接し、前記活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する材料からなる障壁層と、前記活性層において貫通転位を囲む位置に形成された孔部に前記障壁層と同一材料を装填することにより形成される埋め込み部と、を有する窒化物半導体素子であって、前記埋め込み部の底部において隣接する2つの半導体層のうち少なくとも一方が、1E16/cc〜1E17/ccの不純物濃度を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343 610

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 610

F-Term (14)：

5F041AA21 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CB03 ,  5F073AA04 ,  5F073AA51 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-031122   Applicant：パイオニア株式会社

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-031122   Applicant：パイオニア株式会社