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J-GLOBAL ID：200903034679499545
窒化物半導体発光素子及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999031122
Publication number (International publication number)：2000232238
Application date： Feb. 09, 1999
Publication date： Aug. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 単結晶膜中を貫通転位の生じても良好な発光特性を有する窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 3族窒化物半導体を積層して得られる活性層と、活性層に隣接し活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する障壁層と、からなる窒化物半導体発光素子であって、活性層において貫通転位を囲みその周囲に拡がる界面により画定される障壁層と同一材料からなる埋め込み部を有する。
Claim (excerpt)：
3族窒化物半導体を積層して得られる活性層と、前記活性層に隣接し前記活性層のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する障壁層と、からなる窒化物半導体発光素子であって、前記活性層において貫通転位を囲みその周囲に拡がる界面により画定される前記障壁層と同一材料からなる埋め込み部を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 677
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073DA23
, 5F073EA23
