Pat

J-GLOBAL ID：200903075102317756

磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法

Inventor： ルン・ティー・トラン ,  マニシュ・シャーマ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002273429
Publication number (International publication number)：2003151263
Application date： Sep. 19, 2002
Publication date： May. 23, 2003
Summary：

【要約】【課題】磁気的に軟らかい基準層を有する磁気抵抗素子のための読出し方法の提供。【解決手段】磁気抵抗素子(10)は、異なる保磁力を有するデータ層(12)と基準層(14)とを含む。各層は、2つの方向の何れかに配向され得る磁化を有する。メモリ素子(10)は、基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定し(110,210)、素子の抵抗状態を判定する(112,212)ことにより読み出され得る。

Claim (excerpt)：

データ層および基準層を含む磁気抵抗素子において読出し操作を実行する方法であって、前記基準層の磁化を既知の向きに一時的に設定すること(110、210)、及び前記素子の抵抗状態を判定すること(112、212)からなる、方法。

IPC (3)：

G11C 11/15 150 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 150 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6,259,644号明細書
  

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-182152   Applicant：松下電器産業株式会社