Pat

J-GLOBAL ID：200903075136259615

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： 細木 昭仁 ,  宮武 浩 ,  米田 昌弘 ,  松尾 洋 ,  大森 暢彦
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030743
Publication number (International publication number)：1994244152
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【構成】 炭素(C)及びフッ素(F)から構成されるフロロカーボン系ガスであって、Cに対するFの比が3以下であるC4 F8 、C3 F8 、C2 F6 ガス等を、ECRによりプラズマ化してエッチングを行う半導体装置の製造方法。【効果】 C4 F8 、C3 F8 、C2 F6 ガス等から遊離Cを多く生成させることができ、SiO2 膜33をこの遊離Cにより分解することができ、SiO2 膜33をSiN膜31に対して高選択的にエッチングすることができ、極めて高い集積度の半導体装置を容易に製造することができる。

Claim (excerpt)：

ガスプラズマを用いて窒化シリコン膜に対して選択的に酸化シリコン膜のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、炭素及びフッ素から構成されるフロロカーボン系ガスの一種または二種以上からなるガス、または前記フロロカーボン系ガスの一種または二種以上からなるガスに酸素含有ガスまたは炭素含有ガスの少なくとも一種を添加したガスであって、炭素に対するフッ素の比が3以下であるガスを、電子サイクロトロン共鳴(ECR)によりプラズマ化してエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 軸流式水道メータ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-183407   Applicant：リコーエレメツクス株式会社
• 特開平4-110469
  
• 特開平4-106929
  
• 特開昭64-023118
  
• 特開平4-239723
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-159044   Applicant：シヤープ株式会社