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J-GLOBAL ID:200903075158656103
高熱膨張係数を有する結晶化ガラス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
千葉 博史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991219258
Publication number (International publication number):1995101750
Application date: Aug. 06, 1991
Publication date: Apr. 18, 1995
Summary:
【要約】【目的】 耐熱性に優れた電子材料用基板材とくに磁気ヘッド基板材に適した熱膨張係数の大きな結晶化ガラスを提供する。【構成】 重量%で、SiO2 69〜82%、 Li2O 4〜9%、Al2O3 2〜4%、 NaO 0〜4%、K2O 0〜4%、MgO,CaO,BaO,ZnOおよびPbOの一種または合計量 0〜7%、P2O51〜4%、TiO2 5.5〜8%、ZrO2 0〜2%、Sb2O3 0〜0.5%を含み、700°C〜770°Cの結晶化温度で10時間以上熱処理することにより製造され、110〜160× 10-7/°Cの熱膨張係数を有することを特徴とする結晶化ガラス。【効果】 センダストやアモルファス金属等の磁性材料の熱膨張係数に近い値を有し、磁気ヘッドや磁気ディスク等の電子材料用基板として好適である。結晶化熱処理温度が従来の製造方法より格段に低く、従って、得られる結晶化ガラス表面の面粗度変化が小さく、かつエネルギーコストも少ない利点を有する。また温度変化による熱膨張係数の変化も極めて小さい。
Claim (excerpt):
重量%で、SiO2 69〜82%、 Li2O 4〜9%、Al2O3 2〜4%、NaO 0〜4%、K2O 0〜4%、MgO,CaO,BaO,ZnOおよびPbOの一種または合計量 0〜7%、P2O5 1〜4%、TiO2 5.5〜8%、ZrO2 0〜2%、Sb2O3 0〜0.5%を含み、700°C〜770°C の結晶化温度で10時間以上熱処理することにより製造され、110〜160× 10-7/°Cの熱膨張係数を有することを特徴とする結晶化ガラス。
IPC (4):
C03C 10/14
, C03B 32/02
, C03C 3/097
, C03C 10/04
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