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J-GLOBAL ID：200903075197305296

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 國友 美信 ,  野津 誠 ,  阪下 靖之 ,  塚本 勝秀 ,  中谷 誠一 ,  佐伯 啓二 ,  北山 喜文
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998137973
Publication number (International publication number)：1998321765
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フリップチップ実装において、バンプ接合部にせん断応力が印加されるという課題があった。【解決手段】 底面に外部電極端子15を格子状に備え、半導体素子10と概ね同じ大きさを有した半導体キャリア11に、Auバンプ9の形成された半導体素子10が表面側を下にして導電性接着剤13を介して接合されている。また、接合された半導体素子10と半導体キャリア11との間の隙間と周辺端部は、エポキシ系の封止樹脂14により封止されており、封止樹脂14が半導体素子10と半導体キャリア11との間隔から半導体キャリア11上にはみ出して半導体キャリア11と封止樹脂14との接触角度が60度以下の角度で設けられている。この構成により、バンプ接合部の熱応力を曲げ変化に変換できるので、せん断応力を解消できる。

Claim (excerpt)：

突起電極(Auバンプ)を有する半導体素子が、前記突起電極を介して導電性接着剤で絶縁性基板からなる半導体キャリア表面の電極にフェースダウン実装され、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの間隔および前記半導体素子の周辺端部が熱硬化性樹脂で充填被覆されている半導体装置において、前記半導体素子より前記半導体キャリアが大きい条件で前記半導体素子と前記半導体キャリアとが概ね同じ大きさを有し、かつ、前記半導体素子と前記半導体キャリアとの熱膨張率が異なり、前記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂からなり、前記熱硬化性樹脂が前記半導体素子と半導体キャリアとの間隔から半導体キャリア上にはみ出して前記半導体キャリアと前記熱硬化性樹脂との接触角度が60度以下の角度で設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (3)：

H01L 23/28 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体素子の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328524   Applicant：松下電子工業株式会社