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J-GLOBAL ID：200903075253294502

VCSEL作成方法

Inventor：
チャン-ロン・シェー

About チャン-ロン・シェー

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マイケル・エス・レビー

About マイケル・エス・レビー

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ジョン・ルンゴ

About ジョン・ルンゴ


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 本城 雅則 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319810
Publication number (International publication number)：1996222805
Application date： Nov. 15, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【課題】 製造性が良く、消費電力の低いVCSEL装置を提供するVCSEL構造を提供する。【解決手段】 その上に第1分散ブラッグ反射積層部105と、活性領域107と、第2分散ブラッグ反射積層部109と、接触領域111と、誘電層115とが配置された表面を有する基板103が提供される。誘電層115,接触領域111を貫通して第2分散ブラッグ反射積層部109の部分内まで延在する第1分離トレンチ201が形成される。誘電層が基板304上に配置される。窒化物層304,接触領域111,第2分散ブラッグ反射部109,活性領域107および第1分散ブラッグ反射部の一部を貫通して第2分離トレンチ307が形成され、第2分離トレンチ307は第1分離トレンチを囲む。第1分散ブラッグ反射部105の上に第1電気接触が形成され、接触領域111の上に第2電気接触604が形成される。
Claim (excerpt)：
リッジ縦型空洞表面放出レーザを作成する方法であって:その上に第1分散ブラッグ反射積層部(105)と、活性領域(107)と、第2分散ブラッグ反射積層部(109)と、接触領域(111)と、誘電層(115)とが配置された表面を有する基板(103)を設ける段階であって、前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)が前記表面上にあり、前記活性領域(107)が前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)上にあり、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)が前記活性領域(107)上にあり、前記誘電層(115)が前記接触領域(111)の上にある基板を設ける段階;前記誘電層(115)および前記接触領域(111)を貫通し、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)の部分内まで第1分離トレンチ(201)をパターニングしてリッジ(206)を作成する段階であって、前記第1分離トレンチ(201)が前記誘電層(115)の一部と、前記接触領域(111)と、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)の一部とを囲む段階;前記誘電層(115)と、前記接触領域(111)と、前記第2分散ブラッグ反射積層部(109)と、前記活性領域(107)と、前記第1分散ブラッグ反射積層部の一部とを貫通して前記第1分離トレンチ(201)の周囲に境界線を描く第2分離トレンチ(307)をパターニングする段階;前記第1分散ブラッグ反射積層部(105)上に第1電気接触(314)を形成する段階;および前記リッジ(206)の前記接触領域(111)の上に第2電気接触(604)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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