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J-GLOBAL ID:200903003522903471

微細パターン描画材料、それを用いた描画方法及び微細パターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 阿形 明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001172790
Publication number (International publication number):2002365806
Application date: Jun. 07, 2001
Publication date: Dec. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 大規模の装置を必要とせずに、回折限界よりはるかに小さい微細加工が可能で、急激な熱上昇によるレジスト材料の変形や蒸発を伴うことなく、かつ使用可能な光の範囲を拡大することができ、しかも既存の光リソグラフィー法と組み合わせることができる微細パターン描画方法と微細パターン形成方法とそれに用いる新規な材料を提供する。【解決手段】 基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料、これを用いて光照射により描画する微細パターン描画方法、及びこの微細パターン描画材料を用いて、光照射によりパターン描画を行ったのち、さらに露光処理及び現像処理を行う微細パターン形成方法である。
Claim (excerpt):
基板上に、光吸収熱変換層と光及び熱感応性物質層を設けてなる微細パターン描画材料。
IPC (5):
G03F 7/095 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (5):
G03F 7/095 ,  G03F 7/11 501 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (21):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB20 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BB03 ,  2H025DA01 ,  2H025DA31 ,  2H025DA40 ,  2H025FA04 ,  2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA09 ,  2H096CA20 ,  2H096EA04 ,  2H096EA12 ,  2H096KA30 ,  2H097AA03 ,  2H097CA17 ,  2H097GB04 ,  2H097LA10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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