プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344408
Publication number (International publication number)：1996227800
Application date： Dec. 05, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】誘導プラズマ方式を採用するプラズマ処理装置において、被処理体に対する処理の均一性の向上を図る。【解決手段】高周波アンテナ6に高周波電力を印加することにより処理室2a内にプラズマを励起して、サセプタ4c上の半導体ウエハWに対して処理を行う装置において、前記半導体ウエハWと対向する高周波アンテナ6の中心部分に、接地電極31を設ける。接地電極31には、処理ガスの供給流路33及び供給口33aを形成する。バイアス電界の分布が改善され、しかも処理ガスの半導体ウエハ上の流れが方向付けられ、処理が均一化される。

Claim (excerpt)：

高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置であって、前記高周波アンテナとは絶縁して設けられた接地電極を具備してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (4)：

H05H 1/46 L , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-114754 Applicant：株式会社プラズマシステム

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