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J-GLOBAL ID：200903075321556065

熱的ストレスによるパワー半導体素子の故障予測方法

Inventor： 松原 俊介 ,  平井 朗
Applicant, Patent owner： ファナック株式会社
Agent (1)： 竹本 松司 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996214164
Publication number (International publication number)：1998038960
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 熱的ストレスによるパワー半導体素子の故障を予測する。【解決手段】 パワー半導体素子の電流制御による電流変化に基づいて発生する温度変化において、該温度変化の温度差とパワー半導体素子の動作可能サイクル数との間にある所定の関係を利用して、パワー半導体素子の熱的ストレスによる故障を予測する。電流制御を行うパワー半導体素子おいて、電流変化によるパワー半導体素子の温度変化を一サイクルとし、パワー半導体素子の温度情報を求め、温度変化の温度差を一定とする動作における温度差に対する動作可能サイクル数の関係に基づいて、求めた温度情報に対応した温度差からパワー半導体素子の動作可能サイクル数を求める、求めた動作可能サイクル数によってパワー半導体素子の故障を推定する。

Claim (excerpt)：

電流制御を行うパワー半導体素子おいて、前記電流制御による電流変化に基づくパワー半導体素子の温度変化を一サイクルとし、パワー半導体素子の温度情報を求める工程と、前記温度変化の温度差を一定とする動作における温度差に対する動作可能サイクル数の関係に基づいて、前記求めた温度情報に対応した温度差からパワー半導体素子の動作可能サイクル数を求める工程とを備え、前記求めた動作可能サイクル数によってパワー半導体素子の故障を推定することを特徴とするパワー半導体素子の熱的ストレスによる故障予測方法。

IPC (2)：

G01R 31/26 ,  H01L 29/78

FI (3)：

G01R 31/26 A ,  G01R 31/26 B ,  H01L 29/78 657 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• インバータ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-260489   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-261877
  
• 特開平3-261877