Pat
J-GLOBAL ID：200903075321784610

高周波ダイオード

Inventor：
田中 雄一

About 田中 雄一

, 
林 宏明

About 林 宏明


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998336317
Publication number (International publication number)：2000164891
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 逆バイアス時の容量の小さな高周波ダイオードを提供する。【解決手段】GaAs半導体基板上に3層構造からなる縦型のPIN型ダイオードを形成する。所定の混合エッチング液により異方性エッチングを行い、側面中央が窪んだ楔型凹部を形成する。また、その楔型凹部の中央部が、最上層のP型半導体層130と最下層のN型半導体層110に挟まれたI型半導体層120に位置するように配置する。楔型凹部の媒体は空気であるから、その部分の誘電率が1となる。従って、楔型凹部を含んだI型半導体層120の誘電率は合成され、低減される。よって、逆バイアス時の結合容量が低減される。従って、引き出し線の製造工程によって、最上層のP型半導体層130が所定の面積に規定されても、この構造をとることにより逆バイアス時の結合容量は低減化される。これにより、従来より低損失な高周波ダイオードが提供できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に製造され、その主たる電流経路が前記半導体基板の法線方向と一致する縦型ダイオードであって、前記半導体基板と平行な半導体最上面に一方の電極を有する高周波ダイオードにおいて、前記ダイオードの逆バイアス時に形成される空乏層の一端となりうる接合面を持ち、該接合面の面積が前記半導体最上面の面積以下であり、該接合面から前記半導体基板側に向けて、水平方向の断面積がさらに小さくなる部分を有していることを特徴とする高周波ダイオード。
IPC (2)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/872
FI (3)：
H01L 29/91 C ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 F
F-Term (9)：
4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD24 ,  4M104FF27 ,  4M104FF30 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM