水素及びハロゲンのラジカルによる酸化インジウム及び酸化錫の高速ドライエッチング

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998296902
Publication number (International publication number)：1999219941
Application date： Jun. 07, 1996
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】単一のステップにより、インジウム酸化物、錫酸化物又はITOから本質的に成る薄膜のエッチスルーを実現する。【解決手段】チャンバ圧力を30ミリトール未満に維持する。HCl等の水素化ハロゲンを単独で又はCl2等の他の反応性ガスと共に用いる。反応生成物及び/又は反応物からのプラズマ励起発光をモニタして、有効なエッチスルーがなされた時点を決定する。

Claim (excerpt)：

エッチングの方法であって、(a)インジウム酸化物(InO)と、錫酸化物(SnO)と、インジウム酸化物と錫酸化物との混合物と、一般式InxSnyOz (係数zは0より実質的に大きく100%未満であり、100%の残りの部分をX+Yが埋める)を有するインジウムと錫と酸素との化合物と、これらの2つ以上の混合物とから選択されるグループメンバーから実質的に成る材料の層を与えるステップと、(b)ハロゲンを有する反応性ガスを、少なくとも30ミリトール(30milliTorr)の圧力で前記材料の層の近隣に供給するステップと、(c)電場を印加して、供給されたガスを前記材料層と反応させて、反応性ガスと前記材料層との揮発性副生成物を形成するステップと、(d)前記材料層の下に基板を与えるステップと、(e)エッチングプロセスが前記材料層を終わりまでエッチングし基板を攻撃し始める時点を決定するステップと、(f)エッチングプロセスが前記材料層を終わりまでエッチングし基板を攻撃し始める前記決定された時点で、又はおよそ前記決定された時点で、エッチングプロセスを停止するステップとを有するエッチングの方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (3)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H01L 21/302 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平2-158129
金属とITOのエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243016 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-304631