Pat

J-GLOBAL ID：200903075394385919

記憶装置

Inventor： 嶋田 恭博 ,  加藤 剛久 ,  田中 圭介 ,  上田 大助
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002187222
Publication number (International publication number)：2004031728
Application date： Jun. 27, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】強誘電体を任意の電極上に自己整合的に選択成長させて形成した強誘電体キャパシタをメモリセルの一部に用いてデータを記憶することを目的とする。【解決手段】基板上に形成した第1の電極と、前記第1の電極の上に形成した第1の強誘電体と、前記強誘電体の上に形成した第2の電極とから形成した強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを含むメモリセルが構成された記憶装置であって、前記第1の強誘電体は、前記第1の電極の上に選択的に成長し形成されるので、任意の形状の電極上に選択的に強誘電体を形成でき、強誘電体に損傷領域のない微細な強誘電体キャパシタを提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成した第1の電極と、前記第1の電極の上に形成した第1の強誘電体と、前記強誘電体の上に形成した第2の電極とから形成した強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタを含むメモリセルが構成された記憶装置であって、前記第1の強誘電体は、前記第1の電極の上に選択的に成長し形成される記憶装置。

IPC (1)：

H01L27/105

FI (1)：

H01L27/10 444B

F-Term (9)：

5F083FR02 ,  5F083GA09 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 強誘電体メモリ装置およびその製造方法ならびに混載装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-281725   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-316850   Applicant：株式会社日立製作所
• メモリ及び情報機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-008170   Applicant：ソニー株式会社
• 強誘電体キャパシタを有するメモリセルアレイおよびその製造方法並びに強誘電体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-251436   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜装置および薄膜装置の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-000347   Applicant：三菱電機株式会社