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J-GLOBAL ID：200903075438458617

不揮発性メモリシステムおよび不揮発性半導体メモリ

Inventor： 石井 達也 ,  三輪 仁 ,  土屋 修 ,  久保埜 昌次
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997126793
Publication number (International publication number)：1998079197
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来のフラッシュメモリで追加書込みを行なうとすると、通常の書込みと同一のアルゴリズムすなわち一旦当該セクタのデータを外部へ読み出してセクタの一括消去を行なってから、上記読出しデータと追加書込みデータとを合成して書込みを行なわなくてはならないため、追加書込みに要する時間が非常に長くなるとともに、ソフトウェアの負担が大きくなってしまうという不具合があることが明らかになった。【解決手段】 所定のコマンドが与えられると、指定されたセクタの記憶データを読み出してレジスタに退避させてから選択セクタの一括消去を行ない、退避されたデータと追加書込みデータとから書込み期待値データを形成して書込み動作を行なうように構成した。

Claim (excerpt)：

しきい値電圧の第1状態と第2状態とにより情報を記憶する複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルのコントロールゲートに接続されるワード線とを有するメモリアレイと、コマンド入力端子を有し、前記コマンド入力端子に入力される命令に従って前記複数のメモリセルの消去および書込みの動作を所定の手順に従って制御するシーケンサとを備えた不揮発性メモリシステムであって、前記シーケンサの受ける前記命令として、複数のメモリセルのしきい値電圧を一括して第1状態に変化させる消去コマンドと、前記複数のメモリセルのうちしきい値電圧が第1状態にあるメモリセルの少なくとも一つを選択的に第2状態に変化させる追加書込みコマンドとを含み、前記追加書込みコマンドは、前記消去コマンドを実行せずに、複数回連続して実行可能であることを特徴とする不揮発性メモリシステム。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 一括消去型不揮発性記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-341931   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 一括消去型不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243118   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション