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J-GLOBAL ID：200903075449058874

半導体素子のトランジスター製造方法

Inventor： 朴 瑩 澤 ,  呉 榮 均 ,  金 義 式
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996113675
Publication number (International publication number)：1996306923
Application date： May. 08, 1996
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【課題】チャネリング現象を抑制し、且つ、浅い接合領域を形成して、素子の信頼性を向上することができるようにした半導体素子のトランジスター製造方法を提供することに目的がある。【解決手段】4価の不純物イオンを注入してシリコン基板のソース及びドレーン領域が形成される部位に非晶質シリコン層を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子のトランジスター製造方法において、シリコン基板上にゲート電極を形成する段階と、上記段階から、シリコン基板のソース及びドレーン領域が形成される部位に不純物イオンを注入して非晶質シリコン層を形成する段階と、上記段階から、LDDイオン注入工程を実施する段階と、上記段階から、ゲート電極の側壁に酸化膜スペーサを形成し、上記ゲート電極及び酸化膜スペーサを含めた全体構造上に、ソース及びドレーン不純物イオン注入工程を実施する段階と、上記段階から、熱処理工程を実施して、LDD構造をもつ接合部を形成する段階とからなることを特徴とする半導体素子のトランジスター製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265

FI (5)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/265 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-096679   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭63-155720
  
• 特開平4-158529