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J-GLOBAL ID：200903075454178357

シリコン単結晶の引上げ方法

Inventor： ヴィルフレッド・フォン・アモン ,  エリッヒ・ドーンベルガー ,  ハンス・エルクラグ ,  ペーター・ゲーラッハ ,  フランツ・ゼギエト
Applicant, Patent owner： ワッカー・ケミトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・エレクトロニク・グルントシュトッフェ・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994329839
Publication number (International publication number)：1995257991
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Oct. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 その速度を越えると積層欠陥リングが現れる引上げ速度Vcritの下限を上昇させることができる方法で、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げる方法を提供する。【構成】 るつぼ中に収容されたシリコン溶融体をその垂直方向にある特定の速度で引上げるシリコン単結晶の引上げ方法であって、成長する単結晶の固相/液相の境界領域の温度勾配にほぼ比例する最大引上げ速度を越えない速度で引き上げる。

Claim (excerpt)：

るつぼ中に収容されたシリコン溶融体をその垂直方向にある特定の速度で引上げるシリコン単結晶の引上げ方法であって、成長する単結晶の固相/液相の境界領域の温度勾配にほぼ比例する最大引上げ速度を越えない速度で引き上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法。

IPC (3)：

C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコン単結晶の製造方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-081837   Applicant：信越半導体株式会社
• 特公昭57-040119