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J-GLOBAL ID：200903075454345067

酸化物強誘電体素子の作製方法

Inventor： 大木 義路 ,  薛 光洙 ,  平松 大直 ,  伊藤 貴俊 ,  イン-フーン チョイ ,  ヨン-テー キム
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  コリア ユニヴァーシティ ,  コリア インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー
Agent (1)： 杉村 純子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000340845
Publication number (International publication number)：2002151503
Application date： Nov. 08, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】 不揮発性メモリを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する。【解決手段】 所定の基板上にアモルファス状の強誘電体酸化物前駆体を形成した後、前記前駆体を好ましくは500〜600°Cに加熱した状態において、前記前駆体に対して紫外光を照射して結晶化させ、目的とする結晶型の強誘電体酸化物を作製する。

Claim (excerpt)：

アモルファス状の強誘電体酸化物前駆体に紫外光を照射することにより結晶化させ、所定の結晶型の強誘電体酸化物からなる酸化物強誘電体素子を形成することを特徴とする、酸化物強誘電体素子の作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C

F-Term (10)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F083FR01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA17 ,  5F083PR33