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J-GLOBAL ID：200903075484048660

メモリセル装置及びその製造方法

Inventor： マノジュ・ケイ・バッタチャルヤ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001066411
Publication number (International publication number)：2001313377
Application date： Mar. 09, 2001
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 記憶密度が高く、2を越える数の異なる抵抗値を得ることができるようなメモリセル装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性材料から成る第1及び第2のデータ層410,470と、第1及び第2のデータ層410,470の間に配置された、反強磁性的に結合された一対の層430,450とをそれぞれ備える。

Claim (excerpt)：

磁性材料から成る第1及び第2のデータ層と、前記第1及び第2のデータ層の間に配置された、反強磁性的に結合された一対の層と、をそれぞれ備えることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• スピンバルブ構造とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-197463   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-206311   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

Cited by examiner (2)

• スピンバルブ構造とその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-197463   Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, カー・イュー・ルーベン・リサーチ・アンド・ディベロップメント
• 磁気抵抗スピン・バルブ・センサおよびこのセンサを使用した磁気記録システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-206311   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション