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J-GLOBAL ID：200903004358854517

フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置

Inventor： 遠藤 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995035023
Publication number (International publication number)：1996236517
Application date： Feb. 23, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 多層配線用層間絶縁膜に使用されるフッ素含有非晶質炭素膜に、窒素またはシリコン原子を含有させ、耐熱性及びエッチング特性を向上させる。【構成】 フッ化炭素ガスを用いてプラズマを発生させ、フッ素化非晶質炭素膜を成膜する際に、窒素あるいはシリコンガスを同時に流し、従来のフッ素化非晶質炭素膜へ窒素原子あるいはシリコン原子を含有させ、膜中に炭素-窒素結合、あるいは炭素-シリコン結合という強固な結合を形成させて、膜の架橋度を高め耐熱性を高める。また同時にこれらの結合は、炭素-炭素結合よりも強固であることを利用してO2 プラズマによる膜のエッチング耐性を高める。更にフッ化炭素系のエッチングの際、膜中にシリコンを含有させることにより、エッチング速度をレジスト材料よりも高め、シリコン含有非晶質炭素膜のみが選択エッチングされるようにして、パターン形状に従来のレジストが使用できる。

Claim (excerpt)：

膜中に窒素を含有させることを特徴とするフッ素化非晶質炭素膜材料。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  C01B 31/00

FI (2)：

H01L 21/312 A ,  C01B 31/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-346534   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-173771   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション