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J-GLOBAL ID：200903075539795916

有機半導体に基づくトランジスタおよび不揮発性リードライトメモリセルを含む半導体配置

Inventor： シュミット, ギュンター ,  ハリーク, マルクス ,  クラウク, ハーゲン
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003548253
Publication number (International publication number)：2005510865
Application date： Nov. 15, 2002
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

本発明は、トランジスタからなる半導体配置、有機半導体からなるトランジスタの半導体セグメント、および、例えばRFIDタグにおいて使用するために、好ましくはポリマーの強誘電効果に基づくメモリセルに関する。本発明による半導体配置は、スマートカードまたはタグで使用され得、かつ少なくとも1つの書換可能メモリセルを有し、少なくとも1つの有機半導体から構成される半導体経路を有する可撓性基板に印加される。書換可能メモリセルは、メモリ材料中の強誘電効果に基づくことを特徴とし、メモリ材料は、強誘電特性を有する有機ポリマーであることを特徴とし、メモリ材料は、強誘電特性を有する無機ポリマーであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの有機半導体から構成される半導体経路を有する少なくとも1つの半導体デバイスを有する半導体配置であって、 メモリ材料中の強誘電効果に基づく少なくとも1つの書換可能メモリセルを特徴とする、半導体配置。

IPC (3)：

H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L27/10 449 ,  H01L27/10 444B ,  H01L29/28

F-Term (14)：

5F083FR02 ,  5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA30 ,  5F083HA10 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• メモリ装置及びそのデータ読出し方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-373420   Applicant：セイコーエプソン株式会社