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J-GLOBAL ID：200903075558184642

半導体素子の保護装置

Inventor：
大島 俊藏

About 大島 俊藏


Applicant, Patent owner：
矢崎総業株式会社

About 矢崎総業株式会社


Agent (6)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007011932
Publication number (International publication number)：2007159159
Application date： Jan. 22, 2007
Publication date： Jun. 21, 2007
Summary：
【課題】半導体素子の温度、及び周囲温度を考慮して半導体素子を保護することのできる半導体素子の保護装置を提供する。【解決手段】FET(T1)のドレイン、ソース間電圧VDSと、所定の判定電圧V4とを比較するコンパレータCMP1と、該コンパレータCMP1にて、ドレイン、ソース間電圧VDSが電圧V4よりも大きいと判定された際に、FET(T1)を遮断する手段と、を有し、FET(T1)のチャンネル温度が許容温度上限のときの、オン抵抗Ronと、ジュール熱による自己発熱によりチャンネル温度が許容温度の上限値に到達する最小の電流値と、の積を臨界電圧とし、判定電圧を、臨界電圧以下に設定することを特徴とする。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
直流電源と負荷との間に介置された半導体素子を有し、該半導体素子をオン、オフ操作することにより、前記負荷の駆動、停止を切り換えると共に、前記半導体素子を保護する機能を具備した半導体素子の保護装置において、 前記直流電源、半導体素子、及び負荷からなる負荷回路の過熱遮断を、前記半導体素子の第1の主電極と第2の主電極との間の電圧降下の大きさに基づいてのみ行う制御回路を有し、 前記制御回路は、前記第1の主電極と第2の主電極との間の電圧降下分と、所定の判定電圧とを比較する比較回路と、 前記比較手段にて、前記電圧降下分が前記判定電圧よりも大きいと判定された際に、前記半導体素子を遮断する駆動回路と、を備え、 前記比較回路は、前記半導体素子のチャンネル温度が許容温度上限のときの、当該半導体素子のオン抵抗値と、正常電流値以上となる電流である過電流であって、そのジュール熱による温度上昇が動作周囲温度上限で、且つ、熱平衡状態であっても、前記半導体素子の許容温度を超えることのない電流と、の積からなる電圧、またはそれ以下の電圧を前記所定の判定電圧とすること を特徴とする半導体素子の保護装置。
IPC (4)：
H03K 17/14 ,  H03K 17/687 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/08
FI (4)：
H03K17/14 ,  H03K17/687 A ,  H02M1/00 R ,  H03K17/08 C
F-Term (24)：
5H740AA08 ,  5H740BA12 ,  5H740BB01 ,  5H740BB07 ,  5H740MM08 ,  5J055AX15 ,  5J055BX16 ,  5J055CX28 ,  5J055DX12 ,  5J055DX53 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY13 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ09 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ34 ,  5J055FX06 ,  5J055FX13 ,  5J055FX35 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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