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J-GLOBAL ID：200903075652455390
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102677
Publication number (International publication number)：1996032085
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 気相からの堆積法を用いるCVD法等に比べ容易かつ確実にシリコン薄膜を形成しうる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させ、基板上にシリコン膜を形成することにより薄膜トランジスタを製造する。または、薄膜トランジスタのシリコン膜形成工程における基板上に液体状の水素化珪素を塗布した後、原子状の水素を基板上に導入しながら昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させ、基板上にシリコン膜を形成することにより薄膜トランジスタを製造する。
Claim (excerpt)：
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネル半導体膜としてのシリコン薄膜、ソース電極、及びドレイン電極を有して構成される薄膜トランジスタの製造方法において、前記チャネル半導体膜としてのシリコン薄膜を、前記基板上にSim H2m+2あるいはSin H2n(ただし、m、nはm≧5、n≧4であるような整数)を含有する液体状の水素化珪素を塗布した後、昇温過程を含む熱履歴を経させ、塗布膜内で分解反応させることにより形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (7)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23C 16/44
, C23C 18/12
, C30B 29/06 501
, G02F 1/136 500
, H01L 21/205
Cited by applicant (3)
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アモルフアスシリコン膜の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-306340
Applicant：昭和電工株式会社
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特開平2-251135
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シリコン膜形成用の高次シラン含有溶液
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-342682
Applicant：昭和電工株式会社
Cited by examiner (6)
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