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J-GLOBAL ID：200903075751512738

半導体ダイヤモンド及びその製造方法

Inventor： 大石 隆一 ,  中村 好伸 ,  八代 有史 ,  高尾 克俊 ,  高木 悛公
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998315755
Publication number (International publication number)：2000143399
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： May. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ダイヤモンドを半導体化するために行った粒子線照射により生じた照射損傷を、ダイヤモンド基板が大きくなっても短時間に回復させる。【解決手段】 ダイヤモンドを半導体化するためドーパントとなる元素を含む粒子線照射を行い、その後、ダイヤモンド基板を400°C以上に保ち、加速した粒子を照射して、ダイヤモンド結晶の損傷回復を図る。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板または基板上に堆積されたダイヤモンド薄膜に、第1の元素を含む加速粒子が照射された浅い領域と、上記浅い領域の表面上から第2の元素を含む加速粒子が照射された深い領域とを有することを特徴とする半導体ダイヤモンド。

IPC (3)：

C30B 33/04 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/265

FI (3)：

C30B 33/04 ,  C30B 29/04 Z ,  H01L 21/265 F

F-Term (4)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077ED06 ,  4G077FD04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオン注入でダイヤモンド膜中にn型導電性の領域を狙い通りに作製する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平11-506136   Applicant：フォルシュングスツェントルム・ロッセンドルフ・エー・ファウ