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J-GLOBAL ID：200903075786170821

ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型酸化物薄膜

Inventor：
牧 一誠

About 牧 一誠

, 
藤田 悟史

About 藤田 悟史

, 
曽山 信幸

About 曽山 信幸


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999248733
Publication number (International publication number)：2001072416
Application date： Sep. 02, 1999
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：
【要約】【課題】 経時安定性、成膜後の酸化物特性が良好である上に、特に塗布後のストリエーションの問題のないペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液と、この原料溶液を用いるペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型酸化物薄膜を提供する。【解決手段】 Pbを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、該溶液中にシリコーンを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。この原料溶液を基板に塗布した後、焼成するペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法。この方法で形成されたペロブスカイト型酸化物薄膜。
Claim (excerpt)：
Pbを含有するペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、該溶液中にシリコーンを含有することを特徴とするペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。
IPC (5)：
C01G 21/00 ,  C01B 13/32 ,  C01G 25/00 ,  C07F 7/24 ,  H01B 3/12 301
FI (5)：
C01G 21/00 ,  C01B 13/32 ,  C01G 25/00 ,  C07F 7/24 ,  H01B 3/12 301
F-Term (44)：
4G042DA02 ,  4G042DB10 ,  4G042DB11 ,  4G042DC01 ,  4G042DD02 ,  4G042DD10 ,  4G042DE08 ,  4G042DE14 ,  4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  4H049VN01 ,  4H049VN04 ,  4H049VN05 ,  4H049VN06 ,  4H049VP01 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ07 ,  4H049VQ19 ,  4H049VQ31 ,  4H049VQ79 ,  4H049VR22 ,  4H049VR42 ,  4H049VU28 ,  4H049VU31 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA07 ,  5G303CA01 ,  5G303CA09 ,  5G303CA11 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CD04 ,  5G303DA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 高純度誘電体薄膜
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-024293   Applicant：三菱マテリアル株式会社
  • セラミックス薄膜の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-101714   Applicant：東洋インキ製造株式会社
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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