半導体発光装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330774
Publication number (International publication number)：1997172222
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInP系の半導体発光装置において、リアルガイド型構成とし、しかも結晶性にすぐれ、すぐれたレーザ特性を有する半導体発光装置を構成する。【解決手段】少なくとも第1導電型の第1のクラッド層3と、活性層4と、第2導電型の第2のクラッド層5とを有するAlGaInP系の半導体発光装置において、第2のクラッド層5にストライプ状リッジ8が形成され、このストライプ状リッジ8を挟んでその両側に形成された溝7を埋込んで活性層4よりバンドギャップが大で、屈折率が小なる第1導電型のAlGaAsによる電流狭窄層19が形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1導電型の第1のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第2のクラッド層とを有するAlGaInP系の半導体発光装置において、上記第2のクラッド層にストライプ状リッジが形成され、該ストライプ状リッジを挟んでその両側に形成された溝を埋込んで上記活性層よりバンドギャップが大で、屈折率が小なる第1導電型のAlGaAsによる電流狭窄層が形成されてなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-341316 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-213988
特開平2-205091

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