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J-GLOBAL ID：200903075836470724
半導体基板の処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998271905
Publication number (International publication number)：1999168106
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 水素アニールのような危険な処理を伴わず、デバイス不良に結びつく欠陥を有効に低減することができる半導体基板の処理方法を提供する。【解決手段】 購入したシリコン基板10に対してD-HF処理、SC-1処理等を施して、シリコン基板10表面を露出する。次に、表面が露出し、Grown-in欠陥12や微小酸素析出物14を内包するシリコン基板10をアルゴン雰囲気中で酸素外方拡散熱処理を行う。例えば、アルゴン雰囲気中で、約1000°C〜1300°Cの範囲内で、約1時間、熱処理を行う。これにより、水素雰囲気中で酸素外方拡散熱処理した場合と同様に、シリコン基板10の表面近くの欠陥12、14が小さくなり、基板表面の欠陥が低減する。
Claim (excerpt)：
半導体基板を表面処理して、前記半導体基板表面の酸化膜の膜厚を約2nm以下にする工程と、窒素を除く不活性ガス雰囲気中の炉内に、前記半導体基板を約300°C以下の温度に保つように搬入する工程と、所定の外方拡散熱処理温度まで昇温して、前記半導体基板中の不純物を外方拡散する工程とを有することを特徴とする半導体基板の処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
H01L 21/322 Y
, H01L 21/324 X
Cited by examiner (8)
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