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J-GLOBAL ID：200903075877238291

超伝導フィルタ

Inventor：
山中 一典

About 山中 一典

, 
赤瀬川 章彦

About 赤瀬川 章彦

, 
中西 輝

About 中西 輝


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000241406
Publication number (International publication number)：2002057506
Application date： Aug. 09, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 多段化を容易に行うことができ、また、各段間の信号の結合度を容易に調整することのできる超伝導フィルタを提供する。【解決手段】 内部に導体板14を有し、電磁波を遮蔽する金属製容器16と、誘電体基板20と、誘電体基板20の一面に形成された酸化物高温超伝導体のフィーダラインパターン24と、誘電体基板20の他面に形成されたグランドプレーン18とを有し、グランドプレーン18が導体板14に接触するように導体板14上に配置された入出力フィーダ用基板12と、誘電体基板20と、誘電体基板20の一面に形成された酸化物高温超伝導体のヘアピン型パターンと、誘電体基板20の他面に形成されたグランドプレーン18とを有し、入出力フィーダ用基板12間の導体板14上に、グランドプレーン18が導体板14に接触するように配置された複数の1/2波長型ヘアピン型共振器10を有する。
Claim (excerpt)：
内部に電気伝導性の載置面を有し、電磁波を遮蔽する容器と、誘電体基板と、前記誘電体基板の一面に形成された酸化物高温超伝導体の入力フィーダ用回路パターンと、前記誘電体基板の他面に形成された接地層とを有し、前記接地層が前記載置面に接触するように前記載置面上に配置された入力フィーダ用基板と、誘電体基板と、前記誘電体基板の一面に形成された酸化物高温超伝導体の出力フィーダ用回路パターンと、前記誘電体基板の他面に形成された接地層とを有し、前記接地層が前記載置面に接触するように前記載置面上に配置された出力フィーダ用基板と、誘電体基板と、前記誘電体基板の一面に形成された酸化物高温超伝導体の共振器用回路パターンと、前記誘電体基板の他面に形成された接地層とを有し、前記入力フィーダ用基板と前記出力フィーダ用基板との間の前記載置面上に、前記接地層が前記載置面に接触するように配置された複数の共振器用基板とを有することを特徴とする超伝導フィルタ。
F-Term (13)：
5J006HB03 ,  5J006HB12 ,  5J006HB14 ,  5J006JA01 ,  5J006LA11 ,  5J006NA08 ,  5J006NB10 ,  5J006NE02 ,  5J006NE03 ,  5J006NE11 ,  5J006NE13 ,  5J006NE17 ,  5J006PA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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