電流制御機能素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056316
Publication number (International publication number)：1999261128
Application date： Mar. 09, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【目的】電荷担体のスピンの自由度を利用したデバイスにおいて、大きな出力信号が得られるようにして、ロジック用の素子としても使用可能にする。【構成】 SrTiO3 基板401上に、単一磁区のLaSrMnO3 からなるソース領域402、ドレイン領域403が形成され、その間にトンネルバリア404を介して単一磁区のLaSrMnO3 からなる中間領域405が形成されている。ソース・ドレイン領域では電荷担体のスピン方向は一致おり、初期状態(外部磁場非印加状態)では、中間領域405のスピンの向きはソース・ドレイン領域のそれとは反対方向になされている。中間領域上にはSiO2 膜406を介して中間領域の電荷担体のスピン方向を制御するための外部磁場制御用電流ライン409が形成されている。図示された所期状態では、ソース・ドレイン間はオフ状態にあるが、409を流れる電流によって中間領域のスピンの方向を逆転させれば、オン状態となる。

Claim (excerpt)：

電荷担体のスピンの向きが圧倒的に揃っているスピン偏極材料を用いて形成された中間領域を挟んで、電荷担体のスピンの向きが圧倒的に揃っているスピン偏極材料を用いて形成されたソース領域とドレイン領域とが設けられ、前記中間領域の近傍に該中間領域の電荷担体のスピンの方向を制御する磁場制御用電流ラインが設けられている電流制御機能素子であって、ソース領域とドレイン領域との電荷担体のスピンの方向は大略一致していることを特徴とする電流制御機能素子。

IPC (4)：

H01L 43/00 , G11C 11/16 , H01L 27/10 451 , H01L 29/66

FI (4)：

H01L 43/00 , G11C 11/16 , H01L 27/10 451 , H01L 29/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

単一電子制御磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-259858 Applicant：株式会社東芝

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