半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：五十嵐省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032886
Publication number (International publication number)：1995221179
Application date： Feb. 05, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】配線層の上に形成された層間絶縁膜の平坦性を向上せしめて半導体装置の歩留りを向上せしめること。【構成】第1の層間絶縁膜1上にアルミニウム配線層2を形成し、その上に第2の層間絶縁膜の第1層を形成し、この第1層をエッチバックして第1層3Aとする。この上に、第2の層間絶縁膜の第2層4を形成し、化学的研磨法により研磨してその表面を平坦化して第2層4Aとする。シーム状の不連続点の軌跡Xが第1層3Aには生じるが、第2層4Aには生じない。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された金属配線層(2)上に層間絶縁膜を複数層により形成する工程と、該層間絶縁層の表面を化学的研磨法により研磨して平坦化する工程とを具備する半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , H01L 21/304 321 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/90 M , H01L 21/306 Q , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-299846
特開平3-194932
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296972 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page