半導体レーザモジュール、光ファイバ増幅器及び光伝送システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997062784
Publication number (International publication number)：1998256672
Application date： Mar. 17, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザモジュールにおいて、光ファイバからの反射戻り光が半導体レーザ素子に入射しないようにすると共に、半導体レーザ素子の活性層で発生する熱を速やかに放熱する。【解決手段】レーザマウント102の保持された半導体レーザ素子103の活性層104は、該半導体レーザ素子103の高さ方向の中央部よりも底面102a側に形成されている。活性層104から出射されたレーザ光は、集光レンズ105及び光アイソレータ106を通過して光ファイバ107の入射部に入射する。光ファイバ107の入射部で反射された戻り光は、光アイソレータ106及び集光レンズ105を通過してレーザマウント102の端面に集光する。光アイソレータ106は、常光を屈折させながら通過させる一方、異常光を屈折させることなく通過させる第1及び第2のルチル111、112と、光の偏光面を時計回り方向に45度回転させるファラデー素子113と、ファラデー素子113に磁場を印加する永久磁石114とからなる。

Claim (excerpt)：

活性層からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子をその底面において保持するレーザ保持具と、光学軸と平行な偏光方向を持つ光を屈折させながら通過させる一方、光学軸と垂直な偏光方向を持つ光を屈折させることなく通過させる複屈折結晶板と、通過する光を一の方向に所定角度回転させながら通過させるファラデー素子とからなる光アイソレータと、前記半導体レーザ素子の活性層の第1の出射面から出射されるレーザ光を前記光アイソレータに集光する集光レンズと、前記半導体レーザ素子の活性層の第2の出射面から出射されるレーザ光の光量を検出する光検出器とを備えており、前記活性層は、前記半導体レーザ素子における高さ方向の中央部よりも底面側の位置に形成されており、前記光アイソレータ及び集光レンズは、前記半導体レーザ素子の活性層の第1の出射面から出射されたレーザ光を光ファイバの入射部に集光すると共に、該光ファイバの入射部からの反射戻り光を前記半導体レーザ素子の底面よりも前記レーザ保持具側に集光するように設けられていることを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (5)：

H01S 3/18 , G02B 6/32 , G02B 6/42 , G02B 27/28 , H01S 3/10

FI (5)：

H01S 3/18 , G02B 6/32 , G02B 6/42 , G02B 27/28 A , H01S 3/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-099018
光電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-344549 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
特開昭64-024488

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