高耐圧半導体チップの評価方法、高耐圧電子機器基板およびその製造方法、および高耐圧半導体装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999228711
Publication number (International publication number)：2001051011
Application date： Aug. 12, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】製造コストを削減できる高耐圧半導体チップの評価方法を提供すること。【解決手段】シリコーンラバー8を、ベア状態の高耐圧半導体チップ6の終端部分9に押し当て、シリコーンラバー8が押し当てられた状態で、高電圧を、高耐圧半導体チップ6に印加し、シリコーンラバー8が押し当てられ、かつ高電圧が印加された状態で、高耐圧半導体チップ6の特性を評価する。

Claim (excerpt)：

弾力性を有した絶縁物を、ベア状態の高耐圧半導体チップの終端部分に押し当てる工程と、前記弾力性を有した絶縁物が押し当てられた状態で、高電圧を、前記高耐圧半導体チップに印加する工程と、前記弾力性を有した絶縁物が押し当てられ、かつ前記高電圧が印加された状態で、前記高耐圧半導体チップの特性を評価する工程とを具備することを特徴とする高耐圧半導体チップの評価方法。

IPC (2)：

G01R 31/26 , H01L 21/66

FI (4)：

G01R 31/26 H , G01R 31/26 J , H01L 21/66 H , H01L 21/66 D

F-Term (11)：

2G003AA00 , 2G003AE09 , 2G003AF06 , 2G003AG03 , 2G003AG12 , 2G003AH05 , 4M106AA02 , 4M106BA01 , 4M106BA14 , 4M106DD01 , 4M106DJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

樹脂モールド半導体装置の絶縁耐圧測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007162 Applicant：日本電気株式会社
特開昭49-105480
パワーチップキャリア及びこれを用いたパワー半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067333 Applicant：株式会社日立製作所

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