パワーチップキャリア及びこれを用いたパワー半導体装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067333
Publication number (International publication number)：1996264765
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、高信頼でしかも大容量化に適したパワーチップキャリアの構造を提供することにある。【構成】MOS制御型パワー半導体の両主面上の電極とこれらの外側に位置する内部電極とが金属学的に接合されたパワーチップキャリア。【効果】パワー半導体の両主面を内部電極と接続したことにより、冷却効率,高信頼性を有する単位モジュールが得らる。これを並列接続することによりモジュールの大容量化が可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一方の主面に形成されたMOS制御型パワー半導体素子と、上記の半導体基板の一方の主面上に形成された上記半導体素子のカソード電極と、上記の半導体基板の一方の主面上に絶縁層を介して形成された上記半導体素子のゲート電極と、上記半導体基板の他方の主面上に形成された上記半導体素子のアノード電極と、上記カソード電極と金属学的に接合されたカソード側内部電極と、上記アノード電極と金属学的に接合されたアノード側内部電極と、を有するパワーチツプキャリア。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

電力用半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-017753 Applicant：富士電機株式会社
特開昭54-017669
特開昭52-122472

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